中性乳胶源（未掺磷和硼）

简介 : 本品未掺入任何掺杂源

客户可根据生产技术需求，在本乳胶源中可掺入所需的磷、硼、砷、锑、铝等各种一定浓度的杂质，杂质含量可以在较大范围内进行调节；使之成为掺杂二氧化硅乳胶，从而可应用于杂质扩散，使用掺杂二氧化硅乳胶，可得到一系列其它目前常用的源所没有的优点。

乳胶源涂布在硅片表面后经扩散不会损害硅的表面，扩散中又不存在如液态磷源产生的偏磷酸等的沾污，因而硅片表面清洁无合金点加上乳胶源在涂布和扩散中有毒杂质析出少，特别是用磷砷等有剧毒的物质作扩散杂质源时，使用乳胶源就比液态源安全方便得多，而且还能延长石英管的使用寿命等等。

应用范围：半导体芯片扩散掺杂源。

质量效果：掺磷乳胶源新材料经客户十多年使用，用户反映效果良好，扩散结果系数相对集中，片子结深均匀，磷花较细、硅片表面清洁、厚度均匀硅晶格保持完整、无合金点；扩散后器件表面清洁干燥，不会损害硅的表面有利于光刻。

优点：设备简单、工序少、一步工艺即可完成扩散，源浓度可以在较大范围内调节、基本无毒杂质析出等，比目前常用的液态源、固态源具有更多的优越性，基本无毒无气味更环保,比常规工艺更简便、稳定、可靠、安全；同时扩散中又不受气流影响，在同一炉中不但同一片大园片上一致性好，而且片间均匀性也很好，其结果重复性也相当好。

操作工艺：

1.     采用涂布法涂源：采用中心自转式涂佈机。开动马达启动涂佈机，使硅片涂胶吸附盘高速旋转，转速约3000-4000转 /分，将清洁的硅片放在涂胶吸附盘上，用真空吸附法吸住片子，用笔刷将源涂在硅片上，让源佈满整个硅片。涂源时要注意：使用时先将源摇匀

（不用时要用保鲜膜密封好存储冷藏柜），源量要均匀佈满整个硅片表面，涂源的涂胶盘转动要平稳，不可偏心。涂源量的多少、涂胶盘的转速、涂胶时间等等均对源膜厚有影响。为保证产品参数一致性，必须严格掌握好涂源条件，有条件的话操作者最好固定；整个涂源

过程必须在净化环境下进行，相对湿度 必须小于40%。

2.     预烘：目的是去除乳胶膜中过量的溶剂，增加膜和硅片的粘附性。预烘温度200°C 左右。将插好片的石英舟放在温度已升到所需值的扩散石英管口，时间30分钟 左右。

3. 扩散：预烘后即可将片子推入恒温区中进行扩散，扩散温度和时间磷扩→1220℃/3.5H(R口系数0.19-0.20之间)。

使用和贮藏注意事项：

1、远离火种、热源。包装必须密封，切勿受潮。应与易燃、可燃物，碱类等分开存放。防止包装及容器损坏。雨天不宜运输。

2、用多少，倒多少。因源易挥发，要迅速涂片，原装瓶盖子盖好。

3、磷源要放2~5度冰箱保存，千万不可靠冰箱壁放。

4、使用本品操作时注意手防护：戴防毒物渗透手套。

保质期：60天

包装：纸箱内置泡沫箱，每箱10瓶装（10L)，塑料瓶装：1L净液。

发明专利证书：证书号第3850860号   产品专利号：ZL  2018  l  0555900.0