掺磷乳胶源 (半导体芯片扩散掺杂源) 新材料
获得荣誉
掺磷乳胶源新材料产品,是专为二极管制造而研制的创新发明成果,主要应用于半导体芯片扩散的新材料:荣获第十六届中国科学家论坛2019中国科技创新发明成果奖,荣获2019(第五届)华尊奖 中国商界十大行业创新企业:2020年6月获国家知识产权局授权发明专利:2020年11月荣获上海市高新技术企业。
应用范围:半导体芯片扩散。
质量效果:掺磷乳胶源新材料经客户十多年使用,用户反映效果良好,扩散结果系数相对集中,片子结深均匀,磷花较细、硅片表面清洁、厚度均匀硅晶格保持完整、无合金点;扩散后器件表面清洁干燥,不会损害硅的表面有利于光刻。
优点:设备简单、工序少、一步工艺即可完成扩散,源浓度可以在较大范围内调节、基本无毒杂质析出等,比目前常用的液态源、固态源具有更多的优越性,基本无毒无气味更环保,比常规工艺更简便、稳定、可靠、安全;
同时扩散中又不受气流影响,在同一炉中不但同一片大园片上一致性好,而且片间均匀性也很好,其结果重复性也相当好。
操作工艺:
1.采用涂布法涂源:采用中心自转式涂佈机。开动马达启动涂佈机,使硅片涂胶吸附盘高速旋转,转速约3000-4000转 /分,将清洁的硅片放在涂胶吸附盘上,用真空吸附法吸住片子,用笔刷将源涂在硅片上,让源佈满整个硅片。涂源时要注意:使用时先将源摇匀(不用时要用保鲜膜密封好存储冷藏柜),源量要均匀佈满整个硅片表面,涂源的涂胶盘转动要平稳,不可偏心。涂源量的多少、涂胶盘的转速、涂胶时间等等均对源膜厚有影响。为保证产品参数一致性,必须严格掌握好涂源条件,有条件的话操作者最好固定;整个涂源过程必须在净化环境下进行,相对湿度 必须小于40%。
2. 预烘:目的是去除乳胶膜中过量的溶剂,增加膜和硅片的粘附性。预烘温度200°C 左右。将插好片的石英舟放在温度已升到所需值的扩散石英管口,时间30分钟 左右。
3. 扩散:预烘后即可将片子推入恒温区中进行扩散,扩散温度和时间磷扩→1220℃/3.5H(R口系数0.19-0.20之间)。
使用和贮藏注意事项:
1、远离火种、热源。包装必须密封,切勿受潮。应与易燃、可燃物,碱类等分开存放。防止包装及容器损坏。雨天不宜运输。
2、用多少,倒多少。因源易挥发,要迅速涂片,原装瓶盖子盖好。
3、磷源要放2~5度冰箱保存,千万不可靠冰箱壁放。
4、使用本品操作时注意手防护:戴防毒物渗透手套。
保质期:60天
包装:纸箱内置泡沫箱,每箱10瓶装(10L),塑料瓶装:1L净液。
发明专利证书:证书号第3850860号 产品专利号:ZL 2018 l 0555900.0
产品制造商:上海美墅化学品有限公司
市场反馈:经使用单位检测报告数据反馈:
国产磷纸
扩散源名称 标准 扩散条件 结果
磷扩散后的方块系数 0.17±0.05 1240℃.5H 0.201-0.212
硼扩散后磷面系数 0.085±0.01 1263.29H 0.095-0.112
美国进口磷纸
扩散源名称 标准 扩散条件 结果
磷扩散后的方块系数 0.185±0.005 1200℃.6H 0.181-0.192
硼扩散后磷面系数 0.080±0.01 1260℃.46H 0.078-0.084
掺磷乳胶源
扩散源名称 标准 扩散条件 结果
磷扩散后的方块系数 0.185±0.005 1200℃.6H 0.181-0.195
硼扩散后磷面系数 0.080±0.01 1260℃.46H 0.078-0.084
GPP点测良率99.3%, 封装电性:VB ≥1100V、 VF:≤0.98V、 TRR:≥1000ns
综上反馈的数据比对证明,使用掺磷乳胶源与使用美国进口磷纸的结果质量无太大区别,并且优于国产磷纸;能够满足生产质量要求,掺磷乳胶源作为半导体芯片扩散新材料,逐渐受到生产厂家重视和认可接受,并被推广应用。
价格优势:
经过核算:使用掺磷乳胶源(半导体芯片扩散)新材料,每一片硅片涂源成本在0.1~0.2元左右,而使用美国进口磷纸作为扩散材料,每一片硅片涂源成本在2-3元之间甚至更高;使用国产磷纸作为扩散材料,每一片硅片涂源成本在1-2元之间;通过比对使用掺磷乳胶源作为扩散材料,极其明显地显现出价格优势,极大地降低了企业生产成本;本产品己受到越来越多的企业的接纳。
目前客户分佈:江苏、浙江、山东、四川
销售:
销售部电话:021-56136513 021-56136514 021-56139808 400 0150 938
销售部微信:18918330102
售后:
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